碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优
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【问】碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优点，是制作高压、大功率半导体器件的理想材料。。由于SiC的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石（其莫氏硬度为10），加工难度很大。当晶体的直径达到2英寸时，常规的内圆切割机不能有效地工作，必须采用金刚石线切割技术。请问这个是真的吗？ 【答】三超新材：您好，用金刚线切割碳化硅是产品应用领域拓展的一种方向，金刚线切割碳化硅会具有一定优势。谢谢您的关注！¶¶2020-06-28 08:44:00 §
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